驱动电路新品发布--BN2304

2024-06-11

BN2304高压半桥驱动电路

产品介绍

          BN2304是用于驱动MOSFET/IGBT等功率器件的高压半桥驱动电路,驱动电流为+1/-1.5A。高侧耐压高达620V,dv/dt抗干扰能力优于50V/ns,高压侧和低压侧均有独立的欠压保护功能,输入逻辑可兼容TTL/CMOS。设计包含互锁和死区时间可有效防止两个输出同时打开,保护后级器件,且符合AEC-Q100标准。

制备工艺

  该驱动电路芯片采用了功率集成电路的主流工艺技术-BCD工艺技术, 它综合了双极型器件高跨导,强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,使其互相取长补短,发挥各自优点。更为重要的是它集成了DMOS功率器件,DMOS器件可以在开关模式下工作,功耗较低,可将更多功率传给负载。

典型运用

应用领域

 

 


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