驱动电路新品发布--BN2304
2024-06-11
BN2304高压半桥驱动电路
产品介绍
BN2304是用于驱动MOSFET/IGBT等功率器件的高压半桥驱动电路,驱动电流为+1/-1.5A。高侧耐压高达620V,dv/dt抗干扰能力优于50V/ns,高压侧和低压侧均有独立的欠压保护功能,输入逻辑可兼容TTL/CMOS。设计包含互锁和死区时间可有效防止两个输出同时打开,保护后级器件,且符合AEC-Q100标准。
制备工艺
该驱动电路芯片采用了功率集成电路的主流工艺技术-BCD工艺技术, 它综合了双极型器件高跨导,强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,使其互相取长补短,发挥各自优点。更为重要的是它集成了DMOS功率器件,DMOS器件可以在开关模式下工作,功耗较低,可将更多功率传给负载。
典型运用
应用领域
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深圳市宝安区石岩街道德政路高科工业区森海诺科创大厦7楼 、13楼
工厂地址:河南省焦作市武陟县木栾街道郑北大道与覃怀大道交叉口智能硬件产业港6号楼