世界各国第三代半导体材料发展情况
第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力等特性。这些材料主要应用于光电子器件、电力电子器件等领域,具有巨大的市场潜力。欧美日等发达国家和地区都将碳化硅半导体技术列入国家战略,并投入巨资支持发展。
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2024-06
集成电路芯片是如何诞生的
集成电路芯片是现代电子技术的重要组成部分,它是由大量的微型电子元器件(如晶体管、电阻、电容等)和连接线路等组成的。集成电路芯片的诞生离不开电子技术的进步和集成电路的发展历程。 集成电路芯片的诞生可以追溯到20世纪60年代。当时,电子技术发展迅速,人们对电子器件的集成化有了更高的要求。早期的集成电路芯片采用的是小规模集成电路(SSI),通常由几十个晶体管组成。随着技术的发展,人们开始尝试大规模集成电路(LSI),这种集成电路芯片能够集成上千个晶体管,并且具备更复杂的功能。到了1970年代,超大规模集成电路(VLSI)开始出现,它们能够集成上万个晶体管。
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2023-08
半导体冷风之下,AMD与ADI“握手言和”
11月17日,半导体公司AMD与ADI公司共同宣布,双方已就此前所有正在进行的半导体专利法律纠纷达成和解。作为该决议的一部分,双方承诺开展技术合作,为其通信和数据中心客户提供下一代解决方案。
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2023-08
3499cc拉斯维加斯(深圳)有限公司
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