世界各国第三代半导体材料发展情况
第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力等特性。这些材料主要应用于光电子器件、电力电子器件等领域，具有巨大的市场潜力。欧美日等发达国家和地区都将碳化硅半导体技术列入国家战略，并投入巨资支持发展。
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2024-06
集成电路芯片是如何诞生的
集成电路芯片是现代电子技术的重要组成部分，它是由大量的微型电子元器件（如晶体管、电阻、电容等）和连接线路等组成的。集成电路芯片的诞生离不开电子技术的进步和集成电路的发展历程。 集成电路芯片的诞生可以追溯到20世纪60年代。当时，电子技术发展迅速，人们对电子器件的集成化有了更高的要求。早期的集成电路芯片采用的是小规模集成电路（SSI），通常由几十个晶体管组成。随着技术的发展，人们开始尝试大规模集成电路（LSI），这种集成电路芯片能够集成上千个晶体管，并且具备更复杂的功能。到了1970年代，超大规模集成电路（VLSI）开始出现，它们能够集成上万个晶体管。
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2023-08
半导体冷风之下，AMD与ADI“握手言和”
11月17日，半导体公司AMD与ADI公司共同宣布，双方已就此前所有正在进行的半导体专利法律纠纷达成和解。作为该决议的一部分，双方承诺开展技术合作，为其通信和数据中心客户提供下一代解决方案。
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2023-08
3499cc拉斯维加斯(深圳)有限公司
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工厂地址：河南省焦作市武陟县木栾街道郑北大道与覃怀大道交叉口智能硬件产业港6号楼
